232 次國(guó)儀量子電鏡在ALD高k介質(zhì)薄膜覆蓋率評(píng)估中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-24
國(guó)儀量子電鏡在 ALD 高 k 介質(zhì)薄膜覆蓋率評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,隨著芯片制程不斷向更小尺寸推進(jìn),傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO₂)柵介質(zhì)由于其相對(duì)較低的介電常數(shù)(k
219 次國(guó)儀量子SEM3200在深紫外LED電極接觸電阻分析中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-24
國(guó)儀量子 SEM3200 在深紫外 LED 電極接觸電阻分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹深紫外 LED 在殺菌消毒、生物醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。然而,目前深紫外 LED 的發(fā)光效率和功率提升面臨諸
184 次國(guó)儀量子電鏡在3D NAND存儲(chǔ)孔道垂直度測(cè)量中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-24
國(guó)儀量子電鏡在 3D NAND 存儲(chǔ)孔道垂直度測(cè)量的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在當(dāng)今數(shù)字化信息爆炸的時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)憑借其高存儲(chǔ)密度、低能耗以及良好的讀寫性能,成為